27 Einträge gefunden

1. Radiation Hardness of a Wide Spectral Range SiPM with Quasi-Spherical Junction

   1. Römer, Julius
   2. Garutti, Erika
   3. Schmailzl, Wolfgang
   4. Schwandt, Jörn
   5. Martens, Stephan

   2023 - Forschungsinformationssystem der UHH
2. Analysis methods for highly radiation-damaged SiPMs

   1. Cerioli, Sara
   2. Garutti, Erika
   3. Klanner, Robert
   4. Martens, S.
   5. Schwandt, Jörn
   6. Zvolský, M.

   2020 - Forschungsinformationssystem der UHH
3. Determination of the electric field in highly-irradiated silicon sensors using edge-TCT measurements

   1. Klanner, Robert
   2. Kramberger, G.
   3. Mandi?, I.
   4. Mikuž, M.
   5. Milovanovi?, M.
   6. Schwandt, Jörn

   2020 - Forschungsinformationssystem der UHH
4. On the characterisation of SiPMs from pulse-height spectra

   1. Chmill, V.
   2. Garutti, Erika
   3. Klanner, Robert
   4. Nitschke, M.
   5. Schwandt, Jörn

   2017 - Forschungsinformationssystem der UHH
5. The influence of edge effects on the determination of the doping profile of silicon pad diodes

   1. Fretwurst, E.
   2. Garutti, Erika
   3. Hufschmidt, M.
   4. Klanner, Robert
   5. Kopsalis, I.
   6. Schwandt, Jörn

   2017 - Forschungsinformationssystem der UHH
6. Surface effects in segmented silicon sensors

   1. Schwandt, Jörn
   2. Fretwurst, E.
   3. Garutti, Erika
   4. Klanner, Robert
   5. Kopsalis, I.

   2017 - Forschungsinformationssystem der UHH
7. Neutron induced radiation damage of KETEK SiPMs

   1. Centis Vignali, M.
   2. Chmill, V.
   3. Garutti, Erika
   4. Klanner, Robert
   5. Nitschke, M.
   6. Schwandt, Jörn
   7. Sonder, S.

   2017 - Forschungsinformationssystem der UHH
8. Determination of the p-spray profile for n+p silicon sensors using a MOSFET

   1. Fretwurst, E.
   2. Garutti, Erika
   3. Klanner, Robert
   4. Kopsalis, I.
   5. Schwandt, Jörn
   6. Weberpals, M.

   2017 - Forschungsinformationssystem der UHH
9. Study of the breakdown voltage of SiPMs

   1. Chmill, V.
   2. Garutti, Erika
   3. Klanner, Robert
   4. Nitschke, M.
   5. Schwandt, Jörn

   2017 - Forschungsinformationssystem der UHH
10. Measurement of the electric-field and time dependence of the effective oxide-charge density of the Si-SiO2 system

    1. Kopsalis, I.
    2. Klanner, Robert
    3. Schwandt, Jörn

    2016 - Forschungsinformationssystem der UHH
11. Design of a radiation hard silicon pixel sensor for X-ray science

    1. Schwandt, Jörn

    2014 - Forschungsinformationssystem der UHH - frei zugänglich
12. Impact of low-dose electron irradiation on the charge collection of n+p silicon strip sensors

    1. Klanner, Robert
    2. Erfle, Joachim
    3. Fretwurst, Eckart
    4. Garutti, Erika
    5. Henkel, Christian
    6. Junkes, Alexandra
    7. Schuwalow, Sergej

    2014 - Forschungsinformationssystem der UHH - frei zugänglich
13. Design and first tests of a radiation-hard pixel sensor for the european X-ray free-electron laser

    1. Schwandt, Jörn
    2. Fretwurst, E.
    3. Klanner, Robert
    4. Kopsalis, I.
    5. Zhang, J.

    2014 - Forschungsinformationssystem der UHH
14. Study of X-ray radiation damage in the AGIPD sensor for the European XFEL

    1. Zhang, J.
    2. Fretwurst, E.
    3. Graafsma, H.
    4. Klanner, Robert
    5. Kopsalis, I.
    6. Schwandt, Jörn

    2014 - Forschungsinformationssystem der UHH
15. Study of high-dose X-ray radiation damage of silicon sensors

    1. Klanner, Robert
    2. Fretwurst, E.
    3. Pintilie, I.
    4. Schwandt, Jörn
    5. Zhang, J.

    2013 - Forschungsinformationssystem der UHH
16. Study of the accumulation layer and charge losses at the Si-SiO2 interface in p+n-silicon strip sensors

    1. Poehlsen, T.
    2. Becker, J.
    3. Fretwurst, E.
    4. Klanner, Robert
    5. Schwandt, Jörn
    6. Zhang, J.

    2013 - Forschungsinformationssystem der UHH
17. Charge losses in segmented silicon sensors at the Si-SiO2 interface

    1. Poehlsen, T.
    2. Fretwurst, E.
    3. Klanner, Robert
    4. Schuwalow, Sergej
    5. Schwandt, Jörn
    6. Zhang, J.

    2013 - Forschungsinformationssystem der UHH
18. Study of high-dose X-ray radiation damage of silicon sensors

    1. Schwandt, Jörn
    2. Fretwurst, E.
    3. Klanner, Robert
    4. Pintilie, I.
    5. Zhang, J.

    2013 - Forschungsinformationssystem der UHH
19. Time dependence of charge losses at the Si-SiO2 interface in p +n-silicon strip sensors

    1. Poehlsen, T.
    2. Fretwurst, E.
    3. Klanner, Robert
    4. Schwandt, Jörn
    5. Zhang, J.

    2013 - Forschungsinformationssystem der UHH
20. Design of the AGIPD sensor for the European XFEL

    1. Schwandt, Jörn
    2. Fretwurst, E.
    3. Klanner, Robert
    4. Poehlsen, T.
    5. Zhang, J.

    2013 - Forschungsinformationssystem der UHH