29 Einträge gefunden

1. Study of the V⁰₂ state in neutron-irradiated silicon using photon-absorption measurements

   1. Fretwurst, E.
   2. Klanner, R.
   3. Schwandt, J.
   4. Vauth, A.

   2023 - Forschungsinformationssystem der UHH
2. Investigation of nitrogen enriched silicon for particle detectors

   1. Hönig, J.C.
   2. Baselga, M.
   3. Vignali, M.C.
   4. Diehl, L.
   5. Dierlamm, A.
   6. Fretwurst, E.
   7. Kaminski, P.

   2020 - Forschungsinformationssystem der UHH
3. Surface effects in segmented silicon sensors

   1. Schwandt, Jörn
   2. Fretwurst, E.
   3. Garutti, Erika
   4. Klanner, Robert
   5. Kopsalis, I.

   2017 - Forschungsinformationssystem der UHH
4. Defect spectroscopy of proton-irradiated thin p-type silicon sensors

   1. Donegani, E.M.
   2. Fretwurst, E.
   3. Garutti, Erika

   2017 - Forschungsinformationssystem der UHH
5. The influence of edge effects on the determination of the doping profile of silicon pad diodes

   1. Fretwurst, E.
   2. Garutti, Erika
   3. Hufschmidt, M.
   4. Klanner, Robert
   5. Kopsalis, I.
   6. Schwandt, Jörn

   2017 - Forschungsinformationssystem der UHH
6. Determination of the p-spray profile for n+p silicon sensors using a MOSFET

   1. Fretwurst, E.
   2. Garutti, Erika
   3. Klanner, Robert
   4. Kopsalis, I.
   5. Schwandt, Jörn
   6. Weberpals, M.

   2017 - Forschungsinformationssystem der UHH
7. Design and first tests of a radiation-hard pixel sensor for the european X-ray free-electron laser

   1. Schwandt, Jörn
   2. Fretwurst, E.
   3. Klanner, Robert
   4. Kopsalis, I.
   5. Zhang, J.

   2014 - Forschungsinformationssystem der UHH
8. Study of X-ray radiation damage in the AGIPD sensor for the European XFEL

   1. Zhang, J.
   2. Fretwurst, E.
   3. Graafsma, H.
   4. Klanner, Robert
   5. Kopsalis, I.
   6. Schwandt, Jörn

   2014 - Forschungsinformationssystem der UHH
9. Charge losses in segmented silicon sensors at the Si-SiO2 interface

   1. Poehlsen, T.
   2. Fretwurst, E.
   3. Klanner, Robert
   4. Schuwalow, Sergej
   5. Schwandt, Jörn
   6. Zhang, J.

   2013 - Forschungsinformationssystem der UHH
10. Time dependence of charge losses at the Si-SiO2 interface in p +n-silicon strip sensors

    1. Poehlsen, T.
    2. Fretwurst, E.
    3. Klanner, Robert
    4. Schwandt, Jörn
    5. Zhang, J.

    2013 - Forschungsinformationssystem der UHH
11. Challenges for silicon pixel sensors at the European XFEL

    1. Klanner, Robert
    2. Becker, J.
    3. Fretwurst, E.
    4. Pintilie, I.
    5. Pöhlsen, T.
    6. Schwandt, Jörn
    7. Zhang, J.

    2013 - Forschungsinformationssystem der UHH
12. Design and first tests of a radiation-hard pixel sensor for the European X-ray free-electron laser

    1. Schwandt, Jörn
    2. Fretwurst, E.
    3. Klanner, Robert
    4. Kopsalis, I.
    5. Zhang, J.

    2013 - Forschungsinformationssystem der UHH
13. Study of high-dose X-ray radiation damage of silicon sensors

    1. Schwandt, Jörn
    2. Fretwurst, E.
    3. Klanner, Robert
    4. Pintilie, I.
    5. Zhang, J.

    2013 - Forschungsinformationssystem der UHH
14. Design of the AGIPD sensor for the European XFEL

    1. Schwandt, Jörn
    2. Fretwurst, E.
    3. Klanner, Robert
    4. Poehlsen, T.
    5. Zhang, J.

    2013 - Forschungsinformationssystem der UHH
15. The AGIPD system for the European XFEL

    1. Bianco, L.
    2. Becker, J.
    3. Dinapoli, R.D.
    4. Fretwurst, E.
    5. Goettlicher, P.
    6. Graafsma, H.
    7. Greiffenberg, D.

    2013 - Forschungsinformationssystem der UHH
16. Design of the AGIPD sensor for the European XFEL

    1. Schwandt, Jörn
    2. Fretwurst, E.
    3. Klanner, Robert
    4. Zhang, J.

    2013 - Forschungsinformationssystem der UHH
17. Study of high-dose X-ray radiation damage of silicon sensors

    1. Klanner, Robert
    2. Fretwurst, E.
    3. Pintilie, I.
    4. Schwandt, Jörn
    5. Zhang, J.

    2013 - Forschungsinformationssystem der UHH
18. Study of the accumulation layer and charge losses at the Si-SiO2 interface in p+n-silicon strip sensors

    1. Poehlsen, T.
    2. Becker, J.
    3. Fretwurst, E.
    4. Klanner, Robert
    5. Schwandt, Jörn
    6. Zhang, J.

    2013 - Forschungsinformationssystem der UHH
19. Radiation damage in n-type silicon diodes after electron irradiation with energies between 1.5 MeV and 15 MeV

    1. Radu, R.
    2. Fretwurst, E.
    3. Klanner, Robert
    4. Lindstroem, G.
    5. Pintilie, I.

    2013 - Forschungsinformationssystem der UHH
20. Investigation of X-ray induced radiation damage at the Si-SiO₂ interface of silicon sensors for the European XFEL

    1. Zhang, J.
    2. Fretwurst, E.
    3. Klanner, Robert
    4. Pintilie, I.
    5. Schwandt, Jörn
    6. Turcato, M.

    2012 - Forschungsinformationssystem der UHH - frei zugänglich