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1. Determination of the p-spray profile for n+p silicon sensors using a MOSFET

   1. Fretwurst, E.
   2. Garutti, Erika
   3. Klanner, Robert
   4. Kopsalis, I.
   5. Schwandt, Jörn
   6. Weberpals, M.

   2017 - Forschungsinformationssystem der UHH
2. The influence of edge effects on the determination of the doping profile of silicon pad diodes

   1. Fretwurst, E.
   2. Garutti, Erika
   3. Hufschmidt, M.
   4. Klanner, Robert
   5. Kopsalis, I.
   6. Schwandt, Jörn

   2017 - Forschungsinformationssystem der UHH
3. Surface effects in segmented silicon sensors

   1. Schwandt, Jörn
   2. Fretwurst, E.
   3. Garutti, Erika
   4. Klanner, Robert
   5. Kopsalis, I.

   2017 - Forschungsinformationssystem der UHH
4. Measurement of the electric-field and time dependence of the effective oxide-charge density of the Si-SiO2 system

   1. Kopsalis, I.
   2. Klanner, Robert
   3. Schwandt, Jörn

   2016 - Forschungsinformationssystem der UHH
5. Design and first tests of a radiation-hard pixel sensor for the european X-ray free-electron laser

   1. Schwandt, Jörn
   2. Fretwurst, E.
   3. Klanner, Robert
   4. Kopsalis, I.
   5. Zhang, J.

   2014 - Forschungsinformationssystem der UHH
6. Study of X-ray radiation damage in the AGIPD sensor for the European XFEL

   1. Zhang, J.
   2. Fretwurst, E.
   3. Graafsma, H.
   4. Klanner, Robert
   5. Kopsalis, I.
   6. Schwandt, Jörn

   2014 - Forschungsinformationssystem der UHH
7. Design and first tests of a radiation-hard pixel sensor for the European X-ray free-electron laser

   1. Schwandt, Jörn
   2. Fretwurst, E.
   3. Klanner, Robert
   4. Kopsalis, I.
   5. Zhang, J.

   2013 - Forschungsinformationssystem der UHH