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1. Electronic properties of etched-regrown heterostructure interfaces

   1. Beyer, S.
   2. Lohr, S.
   3. Heyn, Ch.
   4. Heitmann, D.
   5. Hansen, W.

   2003 - Forschungsinformationssystem der UHH
2. Etching temperature dependent mobilities up to 190.000 cm²/Vs at chlorine etched and regrown interfaces

   1. Beyer, S.
   2. Lohr, S.
   3. Heyn, Ch.
   4. Heitmann, D.
   5. Hansen, W.

   2002 - Forschungsinformationssystem der UHH
3. Fabrication of quantum wires by in-situ ion etching and MBE overgrowth

   1. Heyn, Ch.
   2. Klein, C.
   3. Kramp, S.
   4. Beyer, S.
   5. Günther, S.
   6. Heitmann, D.
   7. Hansen, W.

   2001 - Forschungsinformationssystem der UHH
4. Characterization of in situ etched and molecular beam epitaxy regrown GaAs interfaces using capacitance-voltage measurements, far infrared spectroscopy, and magnetotransport measurements

   1. Klein, C.
   2. Kramp, S.
   3. Beyer, S.
   4. Heyn, Ch.
   5. Hansen, W.
   6. Heitmann, D.

   2000 - Forschungsinformationssystem der UHH