22 Einträge gefunden

1. Surface effects in segmented silicon sensors

   1. Schwandt, Jörn
   2. Fretwurst, E.
   3. Garutti, Erika
   4. Klanner, Robert
   5. Kopsalis, I.

   2017 - Forschungsinformationssystem der UHH
2. Determination of the p-spray profile for n+p silicon sensors using a MOSFET

   1. Fretwurst, E.
   2. Garutti, Erika
   3. Klanner, Robert
   4. Kopsalis, I.
   5. Schwandt, Jörn
   6. Weberpals, M.

   2017 - Forschungsinformationssystem der UHH
3. The influence of edge effects on the determination of the doping profile of silicon pad diodes

   1. Fretwurst, E.
   2. Garutti, Erika
   3. Hufschmidt, M.
   4. Klanner, Robert
   5. Kopsalis, I.
   6. Schwandt, Jörn

   2017 - Forschungsinformationssystem der UHH
4. Study of X-ray radiation damage in the AGIPD sensor for the European XFEL

   1. Zhang, J.
   2. Fretwurst, E.
   3. Graafsma, H.
   4. Klanner, Robert
   5. Kopsalis, I.
   6. Schwandt, Jörn

   2014 - Forschungsinformationssystem der UHH
5. Design and first tests of a radiation-hard pixel sensor for the european X-ray free-electron laser

   1. Schwandt, Jörn
   2. Fretwurst, E.
   3. Klanner, Robert
   4. Kopsalis, I.
   5. Zhang, J.

   2014 - Forschungsinformationssystem der UHH
6. Design of the AGIPD sensor for the European XFEL

   1. Schwandt, Jörn
   2. Fretwurst, E.
   3. Klanner, Robert
   4. Poehlsen, T.
   5. Zhang, J.

   2013 - Forschungsinformationssystem der UHH
7. Study of high-dose X-ray radiation damage of silicon sensors

   1. Schwandt, Jörn
   2. Fretwurst, E.
   3. Klanner, Robert
   4. Pintilie, I.
   5. Zhang, J.

   2013 - Forschungsinformationssystem der UHH
8. Study of high-dose X-ray radiation damage of silicon sensors

   1. Klanner, Robert
   2. Fretwurst, E.
   3. Pintilie, I.
   4. Schwandt, Jörn
   5. Zhang, J.

   2013 - Forschungsinformationssystem der UHH
9. Radiation damage in n-type silicon diodes after electron irradiation with energies between 1.5 MeV and 15 MeV

   1. Radu, R.
   2. Fretwurst, E.
   3. Klanner, Robert
   4. Lindstroem, G.
   5. Pintilie, I.

   2013 - Forschungsinformationssystem der UHH
10. Study of the accumulation layer and charge losses at the Si-SiO2 interface in p+n-silicon strip sensors

    1. Poehlsen, T.
    2. Becker, J.
    3. Fretwurst, E.
    4. Klanner, Robert
    5. Schwandt, Jörn
    6. Zhang, J.

    2013 - Forschungsinformationssystem der UHH
11. Design and first tests of a radiation-hard pixel sensor for the European X-ray free-electron laser

    1. Schwandt, Jörn
    2. Fretwurst, E.
    3. Klanner, Robert
    4. Kopsalis, I.
    5. Zhang, J.

    2013 - Forschungsinformationssystem der UHH
12. Design of the AGIPD sensor for the European XFEL

    1. Schwandt, Jörn
    2. Fretwurst, E.
    3. Klanner, Robert
    4. Zhang, J.

    2013 - Forschungsinformationssystem der UHH
13. Charge losses in segmented silicon sensors at the Si-SiO2 interface

    1. Poehlsen, T.
    2. Fretwurst, E.
    3. Klanner, Robert
    4. Schuwalow, Sergej
    5. Schwandt, Jörn
    6. Zhang, J.

    2013 - Forschungsinformationssystem der UHH
14. Challenges for silicon pixel sensors at the European XFEL

    1. Klanner, Robert
    2. Becker, J.
    3. Fretwurst, E.
    4. Pintilie, I.
    5. Pöhlsen, T.
    6. Schwandt, Jörn
    7. Zhang, J.

    2013 - Forschungsinformationssystem der UHH
15. Time dependence of charge losses at the Si-SiO2 interface in p +n-silicon strip sensors

    1. Poehlsen, T.
    2. Fretwurst, E.
    3. Klanner, Robert
    4. Schwandt, Jörn
    5. Zhang, J.

    2013 - Forschungsinformationssystem der UHH
16. Optimization of the radiation hardness of silicon pixel sensors for high x-ray doses using TCAD simulations

    1. Schwandt, Jörn
    2. Fretwurst, E.
    3. Klanner, Robert
    4. Pintilie, I.
    5. Zhang, J.

    2012 - Forschungsinformationssystem der UHH
17. Study of radiation damage induced by 12 keV X-rays in MOS structures built on high-resistivity n-type silicon

    1. Zhang, J.
    2. Pintilie, I.
    3. Fretwurst, E.
    4. Klanner, Robert
    5. Perrey, H.
    6. Schwandt, Jörn

    2012 - Forschungsinformationssystem der UHH
18. Investigation of X-ray induced radiation damage at the Si-SiO₂ interface of silicon sensors for the European XFEL

    1. Zhang, J.
    2. Fretwurst, E.
    3. Klanner, Robert
    4. Pintilie, I.
    5. Schwandt, Jörn
    6. Turcato, M.

    2012 - Forschungsinformationssystem der UHH - frei zugänglich
19. Study of X-ray radiation damage in silicon sensors

    1. Zhang, J.
    2. Fretwurst, E.
    3. Klanner, Robert
    4. Perrey, H.
    5. Pintilie, I.
    6. Poehlsen, T.
    7. Schwandt, Jörn

    2011 - Forschungsinformationssystem der UHH
20. Measurements of charge carrier mobilities and drift velocity saturation in bulk silicon of ?1 1 1? and ?1 0 0? crystal orientation at high electric fields

    1. Becker, J.
    2. Fretwurst, E.
    3. Klanner, Robert

    2011 - Forschungsinformationssystem der UHH