TDie ransient Current Technique (TCT) wird genutzt, um Signale von Siliziumdioden zu untersuchen. Dazu werden die Dioden jeweils mit zwei Quellen beleuchtet, die Elektronen-Loch Paare nahe der Oberfläche erzeugen. Für diesen Zweck werden Alphateilchen und Photonen eines gepulsten rotlicht Lasers genutzt. Die Elektronen-Loch Paare wandern durch das elektrische Feld der Diode und induzieren dabei transiente Ströme an den Metallkontakten. Durch Integration dieser Transienten wird die gesammelte Ladung einer Diode bestimmt. In dieser Bachelorarbeit werden n+-p-p+ Dioden untersucht. Diese Dioden wurden mit 23 MeV Protonen bis zu einer 1 MeV equivalenten Neutronenfluenz von 1.2 × 1016 cm−2 bestrahlt. Die Messungen finden bei −20 °C und bis zu einer Spannung von 800 V in Sperrrichtung statt. TCT Untersuchungen deuten auf die Existenz einer Region an der n+-p Schnittstelle der Dioden, die keinen Beitrag zur gesammelten Ladung leistet. Um dies zu Quantifizieren, wird die gesammelte Ladung durch Nutzung beider Quellen miteinander verglichen und daraus die Dicke dieser inaktiven Region bestimmt. Insgesamt werden die Resultate von drei unterschiedlich stark bestrahlten Dioden vorgestellt.
The Transient Current Technique (TCT) is used to investigate the response of silicon diodes. Electron-hole pairs are generated close to the surface by illuminating the diode with two sources: either a pulsed red-light laser or α-particles. These charge carriers drift in the electric field and induce transient currents on the diodes electrodes. The charge collection of a diode is determined by integrating these transients. In this work, n+-p-p+ diodes irradiated with 23 MeV protons up until a 1 MeV equivalent neutron fluence of 1.2 × 1016 cm−2 are examined. The measurements are done at −20 °C up to a bias voltage of 800 V. TCT observations show evidence for a region with zero charge collection at the n+-p interface. The thickness of this inactive region is determined by comparing charge collection measurements with both sources. This thesis presents the results for three diodes irradiated with varying degrees of fluence.