Distribution of strain in GaN and SiC nanocrystals under extreme pressures

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Autor/in:
Verlag/Körperschaft:
Trans Tech Publications Ltd.
Erscheinungsjahr:
2001
Medientyp:
Text
Schlagworte:
  • compressibility
  • gallium nitride
  • high pressure
  • nanomaterials
  • silicon carbide
  • strain
Lizenz:
  • info:eu-repo/semantics/closedAccess
Quellsystem:
Forschungsinformationssystem der UHH
Interne Metadaten
Quelldatensatz
oai:www.edit.fis.uni-hamburg.de:publications/605716fd-813d-4201-bde8-130709e7f77a