Molecular beam epitaxy growth and structural property of self-assembled InAs quantum dots on GaAs

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Autor/in:
Beteiligte Person:
  • Hansen, Wolfgang (Prof. Dr.)
Verlag/Körperschaft:
Staats- und Universitätsbibliothek Hamburg Carl von Ossietzky
Erscheinungsjahr:
2000
Medientyp:
Text
Schlagworte:
  • 530 Physik
  • 33.68 Oberflächen, Dünne Schichten, Grenzflächen
  • 33.72 Halbleiterphysik
  • Galliumarsenid
  • Indiumarsenid
  • Quantenpunkt
  • ddc:530
  • Galliumarsenid
  • Indiumarsenid
  • Quantenpunkt
Lizenzen:
  • http://purl.org/coar/access_right/c_abf2
  • info:eu-repo/semantics/openAccess
  • No license
Quellsystem:
E-Dissertationen der UHH
Interne Metadaten
Quelldatensatz
oai:ediss.sub.uni-hamburg.de:ediss/881