A novel planar back-gate design to control the carrier concentrations in GaAs-based double quantum wells

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Autor/in:
Erscheinungsjahr:
2020
Medientyp:
Text
Schlagworte:
  • Landau Levels
  • Quantum Hall Effect
  • Fermions
  • Insulators
  • Quantum Dots
  • Spin
  • Landau Levels
  • Quantum Hall Effect
  • Fermions
  • Insulators
  • Quantum Dots
  • Spin
Lizenz:
  • info:eu-repo/semantics/restrictedAccess
Quellsystem:
Forschungsinformationssystem der UHH
Interne Metadaten
Quelldatensatz
oai:www.edit.fis.uni-hamburg.de:publications/ba58c176-955f-4b8e-b450-21715639dbf5