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1. Study of radiation damage induced by 12 keV X-rays in MOS structures built on high-resistivity n-type silicon

   1. Zhang, J.
   2. Pintilie, I.
   3. Fretwurst, E.
   4. Klanner, Robert
   5. Perrey, H.
   6. Schwandt, Jörn

   2012 - Forschungsinformationssystem der UHH
2. The adaptive gain integrating pixel detector AGIPD a detector for the European XFEL

   1. Henrich, B.
   2. Becker, J.
   3. Dinapoli, R.
   4. Goettlicher, P.
   5. Graafsma, H.
   6. Hirsemann, H.
   7. Klanner, Robert

   2011 - Forschungsinformationssystem der UHH
3. Study of X-ray radiation damage in silicon sensors

   1. Zhang, J.
   2. Fretwurst, E.
   3. Klanner, Robert
   4. Perrey, H.
   5. Pintilie, I.
   6. Poehlsen, T.
   7. Schwandt, Jörn

   2011 - Forschungsinformationssystem der UHH