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1. Nonplanar two-dimensional electron gases in InAs heterostructures on GaAs

   1. Lohr, S.
   2. Heyn, Ch.
   3. Hansen, W.

   2004 - Forschungsinformationssystem der UHH
2. Electronic properties of etched-regrown heterostructure interfaces

   1. Beyer, S.
   2. Lohr, S.
   3. Heyn, Ch.
   4. Heitmann, D.
   5. Hansen, W.

   2003 - Forschungsinformationssystem der UHH
3. Growth of shallow InAs HEMTs with metamorphic buffer

   1. Heyn, Ch.
   2. Mendach, S.
   3. Lohr, S.
   4. Beyer, S.
   5. Schnüll, S.
   6. Hansen, W.

   2003 - Forschungsinformationssystem der UHH
4. Etching temperature dependent mobilities up to 190.000 cm²/Vs at chlorine etched and regrown interfaces

   1. Beyer, S.
   2. Lohr, S.
   3. Heyn, Ch.
   4. Heitmann, D.
   5. Hansen, W.

   2002 - Forschungsinformationssystem der UHH